本研究ではYBa₂Cu₃O_7-δQMGバルク試料に中性子を照射することにより、各温度や外部磁場における臨界電流密度J_cを調べ、中性子照射によって生成された欠陥の磁束ピンニング特性への効果を明らかにすることを目的としている。そこで微小交流磁界重畳法を用い実験をおこなったところ、J_cの増加といった効果が得られた。これは、中性子照射によりピンニングセンターが生成され、これが磁束に有効に作用しているためだと思われる。また、磁化測定より電流-電圧特性を見積もり照射量による変化も調べた。これにより照射前後のピンニングポテンシャルU_pを算出し、磁束ピンニング特性への効果について更に詳しく考察を行っている。