エピタキシャルYBCO薄膜において抵抗温度特性とNernst係数の測定から量子化磁束の輸送エントロピーを直接見積もった．平均場近似で見積もられる輸送エントロピーは，超伝導転移温度でゼロになるはずであるが，実際見積もられた輸送エントロピーは，超伝導転移温度以上でも大きな値を示す．本研究では，混合状態から常伝導状態への転移過程を確率過程と見なし，抵抗転移特性の理論的記述を試みた．また，輸送エントロピーの温度特性に関しても同様に考察した．