Bi free の酸化物基盤と Bi 基酸化物被覆材との拡散反応により試料表面に厚さ 0.150 mmの Bi2212 酸化物超電導層を合成した円筒状のバルク導体を作製した。4.2 K における Jc は、20,000 A/cm² 以上で、これは、直径 3 mm の中実円筒試料では、300 A 以上の Ic に、外/内経(20/16 mm) の中空円筒試料では、断面積換算で 3,000 A の大容量 Ic に相当する。拡散反応後、Ar ガス中でアニールすることにより、Tc は約 10 K 上昇し、50 K 以上の高温度域で臨界電流の温度ー磁界特性が向上した。本試料は、バルク体としては高い Ic および Jc を有し、短時間で簡便に作製出来ることから低熱侵入の電流リードとして応用が期待できる。