前報(97年度秋季学会)に引き続き、熔融法によるBi-2212バルクの作製過程において異なる粒子状態のMgOを導入し、試料内の組織観察を詳細に調べた上で、MgOの導入が臨界電流密度に与える影響を評価し、磁束ピン止め理論を用いて考察を行った。