一方向のみに導入されるcolumnar defectより臨界電流密度J_cが高いと報告されている、方向を分散させた柱状欠陥(splayed defect)をYBa₂Cu₃O_y薄膜に導入して、その輸送特性について調べた。その結果、vortex-glass転移温度T_gが照射前と比較して高温・高磁場側にシフトしたが、臨界指数に変化が見られなかった。