(100)MgO基板上にc-軸配向YBCO薄膜をスパッタ法により合成し、角度磁場中でその臨界電流密度を測定した。一定磁場下では、全ての薄膜が強い角度依存性を示し、磁場が面内方向に近づくと急激に上昇する。いくつかの薄膜では、垂直方向の磁場でも臨界電流が上昇する現象が見られた。二つの代表的な薄膜について臨界電流の角度磁場に対する振る舞いを、異なる磁場強度および温度について検討した結果を報告する。