E1-5
OCMG法によるAg添加Sm123系バルク超電導材料の作製
超電導工学研究所
@成木紳也,竹林聖記A,村上雅人Ｂ
OCMG法により比較的大きなSm123/Ag系バルク超電導体を作製し、その超電導特性を調べた。Ag<SUB>2</SUB>Oを10wt%添加したSm123前駆体を0.1%の低酸素分圧下で、Nd123を種結晶として成長させることにより、直径31mmの単一ドメインのバルク体を得た。バルク体中のAg粒子の分布は不均一であり、種結晶近傍では量が少なかった。バルク体の表面付近ではAg粒子が凝集する傾向が見られた。またピンニングセンターとして導入されたSm211粒子はバルク体内部の方が種結晶近傍に比べ、粒径が小さくなる傾向が見られた。これらのAg、Sm211の粒子形態はSm123のSm/Ba比をBa-richにすることにより大きく変化することが分かった。バルク体中心部のJcは3T付近の磁場でピーク効果が見られた。捕捉磁場密度の最大値は77Kで0.94Tであった。