E1-3

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ISD法によるハステロイ基板上への面内配向CeO<SUB>2</SUB>薄膜の作製
住友電気工業株式会社,東京電力株式会社^A
@長谷川勝哉,藤野剛三,小西昌也,大松一也,佐藤謙一,佐藤礼文^A,本庄昇一^A,保原夏朗^A,岩田良浩^A

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　レーザアブレーション法によりハステロイ基板上に中間層と超電導層を形成した薄膜線材を開発している。高速化の観点から、ISD法（基板傾斜法）による面内配向CeO<SUB>2</SUB>中間層作製について検討した結果を報告する。