E1-1

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銀テープ上YBCO薄膜の連続成膜
東芝基礎研,Super-GM^A
@山崎六月,工藤由紀,Truong Dinh Thanh,芳野久士,長村英博^A

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　磁場中においても高いJcを持つＹ系超電導体を金属基板上に成膜した線材の開発が進められている。中でもAg上に成膜する場合は中間層が不要であるばかりでなくクエンチ時に基板が電流のバイパスとなるため、中間層を用いる場合に必要な安定化材を表面に設けることも不要であり、高速製造および、低コスト化に向いている。これまでにAg上でのYBCOの成長メカニズムを明らかにしAg(110)面上において最も面内配向性の良い膜が得られることを見出した。またAgにCuを微量添加し、Cu-richのターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりJcが1.2×10⁵A/cm²の膜を得た。今回は長さ１m、幅20mmのAgテープを連続移動させながらYBCOを成膜した。得られた膜のJcは77Kにおいて最大1.1×10⁵A/cm²、平均6×10⁴A/cm²であった。これにより長尺化の見通しが得られた。