B3-9
ビッター法による酸化物超電導体のピンニングセンター評価
JFCC, 名工大A、Super-GMB
＠道下和男、佐々木優吉、東田 豊、久保幸雄、中村光一A、武田 薫B
酸化物超電導体のJc向上には強いピンニングセンターを導入する必要があるが、ピンニングセンターの同定は今まで殆どなされていない。このためビッター法によりY系薄膜とBi系単結晶の磁束分布を観察し、ピンニングセンターの評価を行った。 Bi系単結晶では六回対称のほぼ規則的な磁束線分布が得られ、方位相関関数に比べ位置相関関数の距離による減衰が大きいことから、collective
pinning theoryに従うのに対し、Y系薄膜では規則的な磁束線分布が得られなかったことから粒界、双晶、析出物などの個々の欠陥にピン止めされていると考えられる。 なお、本研究は通商産業省工業技術院ニューサンシャイン計画「超電導電力応用技術開発」の一環として、新エネルギー・産業技術開発機構（NEDO）からの受託により実施したものである。