B3-7
コラムナー欠陥のピンニング特性の異方性による変化
東大工.超電導工学研究所A
@下山淳一.中山有理.越智健二.岸尾光二.筑本知子
様々なキャリアドープ状態にあるBi2212,PbドープBi2212単結晶試料を用い、重イオン照射によるピンニング特性の変化を電気的磁気的異方性をパラメターとして調べた。調べた試料の間では異方性パラメターは2桁以上変化している。物質の異方性の低下に伴い、同じ密度のコラムナー欠陥を持つ試料において不可逆曲線、臨界電流密度が系統的に改善されることがわかった。これは、異方性の低下によってピンニングサイトの有効性が高められたことを示す結果である。