B3-11
高温超伝導体における交流磁場侵入とホール効果
九州大学大学院システム情報科学研究科, 九州電力(株)総合研究所A,
東北大学金属材料研究所B
@井上昌睦, 長谷川和也, 木須隆暢, 竹尾正勝, 入江冨士男A,
淡路智B, 渡辺和雄B
高温超伝導体は高臨界温度と同時に高臨界磁場を有しており、高磁場応用のための次世代材料として期待されている。しかしながら，高磁界中における特性については充分に調べられていないのが現状である。また、一般的な研究室レベルで高磁界特性を実験的に得ることは困難であり、低・中磁場領域での磁場特性から高磁場特性を予測できるようになることは実用上重要である。本研究では、YBCO高温超伝導薄膜を用いて、27Tまでの極めて高い磁場範囲において電流輸送特性を評価すると共に、12T程度までの磁場中における電流輸送特性との関係について示し、ピン力の統計分布、ならびにそのスケール則を用いることによって、高磁界特性を定量的に予測可能であることを示す。