A3-2
AE発生潜伏時定数と超電導回転子導体のQuench伝播について
電子技術総合研究所
@野村晴彦,海保勝之,石井格,淵野修一郎,新井和昭,樋口登,山口浩,立石裕,関根聖治,名取尚武,玉田紀治
我々は、超電導回転子の新評価、監視技術として、AEによる計測を行ってきた。なかんずく、その基本は、回転子用超電導導体の、常電導電播特性の計測である。この、常電導電播特性を、そのAE特性から詳しく解析した結果、S-N
転移における潜伏時間（〜数十ミリ秒程度）が観測され、それは、該導体が経験する通電電流、磁界、回転数のパラメータと成っていることが判明した。 このS-N
転移潜伏時定数は超電導回転子を評価或いは監視するに必要な”潜熱”或いはマージンと強く関わっている事が解ったので、これを報告する。