E1-29
Bi-2212 酸化物超電導層を Bi free の酸化物基盤と Bi 基酸化物被覆材との拡散反応により、直径 3 mm の円柱状試料表面に約 150 μm の厚さで合成した。4.2 K における Ic と Jc は、それぞれ 300 A と 20000 A/cm² 以上となった。拡散反応後、Ar ガス中でアニールすることにより、Tc は約 10 K 上昇し、50 K 以上の高温度域で温度ー磁界特性が向上した。また、試料端部の接触抵抗は、10^-9Ωcm² と低く、本試料は低熱侵入の電流リードとして応用が期待できる。