C1-6
縦磁界下における超電導Pb-In平板に通電して縦および横 方向の電界を測定し、表面での構造を調べた。その結果、負の電 界が生じる部分が観測されたが、そこではPoyntingベクトルが超 電導試料の外向きとなっており、磁束線が試料外に出ていること が示唆され、B×vの項によって負の電界が生じることが説明され る。また、抵抗率は磁界の増加とともに単調に増加しており、こ のことからも縦磁界下の電界発生も磁束線の運動により生じると 結論される。