我々はSN転移型YBCO薄膜限流素子の開発を行っている。機器設計上、Iqを任意に設定する必要があり、そのためにはYBCO薄膜のクエンチ過程を把握しておくことが重要である。一般に、YBCO薄膜にIc（クライテリオン1μV/cm）以上の電流を流し続けると、ジュール発熱によりYBCO薄膜の温度がTc以上に上昇しクエンチする。したがって、電圧が発生し始めてからクエンチするまでの過程はYBCO薄膜のI-V特性に依存している。そこで、YBCO薄膜の零磁場のI-V特性とその温度依存性を詳細に測定することによりクエンチ過程を解析し、IqとIcとの関係を調べたので報告する。