複合多芯超伝導線の交流応用への利用が盛んになってきている今日、その電流容量の増加と交流損失の低減等が大きな課題となっている。その解決策として、複合多芯超伝導線内の超伝導体の占積率を増加すること、超伝導フィラメント径を減少させること、等が挙げられる。しかし、これに伴い製造上の制約等により、フィラメント間の間隔が減少し、近接効果が顕著に現れるようになってくる。すると、交流使用時には、この近接効果の磁化による過剰な交流損失が生し、無視できないほど大きなものとなってくる。よって、この近接効果の抑制もまた非常に重要な課題となる。　　　　本研究では、この近接効果の磁化及び交流損失のフィラメント間隔に対する依存性を調べた。