Critical current properties in C-doped MgB2 films fabricated by electron-beam deposition
堀井 滋, 青木 翔太, 竹原 寛人 （京大）； 菅野 周一, 水上 貴彰, 楠 敏明 （日立）； 土井 俊哉 （京大）
Abstract:単結晶や多結晶バルクにおけるMgB2材料の磁場中高Jc化手法として炭素ドープが用いられる。一方、電子ビーム蒸着法におけるMgB2膜は20nm程度の粒界をもつ柱状組織をもち、磁束ピンニングがある程度強化されている。本発表では、さらなる磁束ピンニングの増強を期待して炭素ドープを試み、これらの作製および臨界電流特性について報告する。