In-field critical current density of PLD-GdBCO coated conductors deposited on IBAD substrate with different orientation
井上 昌睦, 田中 健太, 横溝 孝明, 今村 和孝, 東川 甲平, 木須 隆暢 （九大）； 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）； 種子田 賢宏, 吉積 正晃, 和泉 輝郎 （SRL）
Abstract:本研究では、IBAD基板の面内配向度が磁場中臨界電流特性に与える影響について調べた。IBAD基板は、面内配向度が2.72°及び1.98°の2種類を用意し、それぞれに1.5μmの超伝導層をPLD法により形成した。高配向IBAD基板上のGdBCO線材は、4.2Kから77Kの広い温度領域にわたって高い磁場中Jc値を示すことが明らかとなった。この結果は、更なる基板の高配向化が線材の実用性能向上に対して有効であることを示すものである。